距離画像センサ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：梅村勁樹 , 南條眞一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003132945
Publication number (International publication number)：2004294420
Application date： May. 12, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】従来の光の飛行時間を測定することで対象物までの距離を測る方法は、いずれも背景光を除去することは考慮されていない。また、電荷転送効率についても考慮されていない。【構成】変調光の遅れ時間に依存する2つの電荷蓄積ノードの信号の差を求め、これにより距離情報を得る距離画像センサにおいて、変調光の存在しない期間に第3の電荷蓄積ノードから、あるいは前記2つの電荷蓄積ノードから背景光による信号を得て、前記2つの電荷蓄積ノードの遅れ時間に依存する信号から差し引くことにより、背景の影響が取り除かれる。さらに、受光素子として埋め込み型ダイオード、ゲート手段としてMOSゲートを用いることにより電荷転送効率が向上する。他に入出力間に容量を設けた負帰還アンプを採用することによっても電荷転送効率が向上する。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

光源からの光を断続的に対象物に投射し、その反射光の遅れ時間から距離を計測する距離画像センサにおいて、対象物からの反射光を電荷に変換する半導体基板に埋め込まれたフォトダイオード構造による受光素子と、半導体基板上のMOS(Metal Oxide Semiconductor)構造による複数のゲート手段と、複数の電荷蓄積ノードと、前記ゲート手段の開閉を制御する制御手段とを具備し、少なくとも2つの前記電荷蓄積ノードすなわち第1の電荷蓄積ノードと第2の電荷蓄積ノードに対して、前記受光素子からの電荷を前記ゲート手段すなわち第1のゲート手段と第2のゲート手段により前記光源からの光の断続動作と同期させて交互に電荷転送して蓄積を行い、前記受光素子からの電荷転送効率を向上させるとともに蓄積電荷の配分比から対象物までの距離を求めることを特徴とする距離画像センサ。

IPC (3)：

G01S17/10 , G01C3/06 , H01L27/146

FI (3)：

G01S17/10 , G01C3/06 Z , H01L27/14 A

F-Term (28)：

2F112AD01 , 2F112BA07 , 2F112CA12 , 2F112DA28 , 2F112EA05 , 2F112FA19 , 2F112FA29 , 2F112FA32 , 2F112FA41 , 4M118AA05 , 4M118AB03 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118DD09 , 4M118DD10 , 4M118DD11 , 4M118DD12 , 4M118FA03 , 4M118FA06 , 4M118FA33 , 5J084AA05 , 5J084AD01 , 5J084BA36 , 5J084BA48 , 5J084CA03 , 5J084CA20 , 5J084CA55 , 5J084EA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

距離情報入力装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-177387 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
距離画像撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-098478 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
距離情報入力装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-050178 Applicant：オリンパス光学工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

“変調光検出用ビジョンチップ”
“CCD-Based Range-Finding Sensor”

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