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J-GLOBAL ID：200903047129589789

光半導体装置

Inventor： 大東 直樹 ,  海道 佳典 ,  川西 康義 ,  堤 正彦 ,  岸 靖雄
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993190535
Publication number (International publication number)：1995045849
Application date： Jul. 30, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 耐湿性に富む光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 基板1の樹脂表面上に、裏面金属膜3、半導体光活性層4、及び、透明導電膜5を積層した光半導体装置であって、前記樹脂表面と前記裏面金属膜3との間に、前記裏面金属膜3より耐湿性に富む導電膜2を介挿したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

樹脂表面上に、裏面金属膜、半導体光活性層、及び、透明導電膜を積層した光半導体装置であって、前記樹脂表面と前記裏面金属膜との間に、前記裏面金属膜より耐湿性に富む導電膜を介挿したことを特徴とする光半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-169770