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J-GLOBAL ID:200903047143405909
力学量センサおよびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994176821
Publication number (International publication number):1996043434
Application date: Jul. 28, 1994
Publication date: Feb. 16, 1996
Summary:
【要約】【目的】 安価でかつ簡単な構造でありながら、高感度であると同時に高温環境下での低オフセット電圧を達成する力学量センサを提供することを目的とする。【構成】 絶縁層を有する起歪体1と、絶縁層上に設けた第1,第2の電極2a,2b,2c,2d,3a,3b,3c,3dを連接するようにプラズマ溶射により形成された抵抗体4a,4b,4c,4dを有することにより、簡単な構造かつ安価であると同時に高性能な力学量センサおよびその製造方法を提供できる。
Claim (excerpt):
絶縁層を有する起歪体と、前記絶縁層上に設けた第1,第2の電極と、前記第1,第2の電極と連接するようにプラズマ溶射により形成された少なくとも半導体を含有する抵抗体とを備え、前記抵抗体の抵抗値変化を歪み量の変化として検出する検出手段とからなる力学量センサ。
IPC (4):
G01P 15/12
, C23C 4/10
, G01L 1/18
, H01L 29/84
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