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J-GLOBAL ID：200903047157538960

薄膜の気相成長法

Inventor： 真下 正夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244757
Publication number (International publication number)：1994097076
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 設定基板温度に合わせて原料を選び、原料の使用効率を上げると同時に薄膜結晶の質も向上できる有機金属気相成長法を提供することである。【構成】 気相成長によって薄膜成長を行うに際し、同一元素供給のための複数の原料を同時に用い、基板温度に合わせて原料の混合比を変えて実質的な分解温度を制御することを特徴とする薄膜の気相成長法。

Claim (excerpt)：

気相成長によって薄膜成長を行うに際し、同一元素供給のための原料として分解温度の異なる複数の原料を用いることを特徴とする薄膜の気相成長法。