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J-GLOBAL ID：200903047163682291

トレンチ絶縁ゲート電界効果トランジスタ

Inventor： レイモンド、イェー.エー.ヒューティング
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (5)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006540761
Publication number (International publication number)：2007512699
Application date： Nov. 26, 2004
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

この発明は、ドレイン(8)、サブチャネル領域(10)、ボディ(12)およびソース(14)を備えるトレンチMSOSETに関する。サブチャネル領域は、ボディ(12)と同じ導電型となるように、不純物が拡散されているが、より低い不純物拡散濃度でも良い。フィールドプレート電極(34)は、サブチャネル領域(10)に隣接して備えられ、ゲート電極(32)はボディ(12)に隣接して備えられる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のソース領域と、 前記ソース領域に隣接する、前記第1の導電型と逆の第2の導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域に隣接する、前記第2導電型のサブチャネル領域であって、前記ボディ領域における不純物の拡散が少なくともこの領域の不純物の拡散よりも少なくとも5倍高くなっている、サブチャネル領域と、 前記サブチャネル領域に隣接する、前記第1導電型のドレイン領域であって、前記ソース領域と該ドレイン領域の間に、前記ボディ領域および前記サブチャネル領域が配置される、ドレイン領域と、 前記ソース領域から前記ボディ領域および前記サブチャネル領域を介して前記ドレイン領域へと延びる複数の絶縁トレンチであり、各トレンチが側壁を有し、前記側壁の表面の絶縁膜と、前記ボディ領域に隣接する少なくとも1つの導電性のゲート電極と、前記サブチャネル領域に隣接する少なくとも1つの導電性のフィールドプレート電極と、を備える、前記絶縁トレンチと、 前記ゲート電極および前記フィールドプレート電極における電圧を独立して制御するために、前記ゲート電極に接続されたゲート端子と、前記フィールドプレート電極に接続されたフィールドプレート端子と、 を備える絶縁ゲート電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (5)：

H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652E