Pat
J-GLOBAL ID:200903047169633721

同期整流用パワ-MOSFETの制御装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山口 巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993142414
Publication number (International publication number):1995007928
Application date: Jun. 15, 1993
Publication date: Jan. 10, 1995
Summary:
【要約】【目的】同期整流用パワ-MOSFETの逆方向電流の通流を阻止してトランスの負荷を軽減し、かつ順方向電圧降下を低減する。【構成】フライバックコンバ-タ回路,フォワ-ドコンバ-タ回路等を基本回路とするスイッチング電源装置のパルストランス1の二次巻線1S側に接続され,出力電流を整流する同期整流用パワ-MOSFET13の制御装置であって、ゲ-ト駆動信号により順方向電流および逆方向電流の制御が可能な同期整流用パワ-MOSFET13のソ-ス・ドレイン間に流れる電流の方向の変化を監視し、逆方向電流が流れる期間同期整流用パワ-MOSFETのゲ-トに供給する駆動信号を停止する逆流防止手段として、例えばコンパレ-タ回路14を備えるものとする。
Claim (excerpt):
フライバックコンバ-タ回路,フォワ-ドコンバ-タ回路等を基本回路とするスイッチング電源装置のパルストランスの二次巻線側に接続されて出力電流を整流する同期整流用パワ-MOSFETの制御装置であって、ゲ-ト駆動信号により順方向電流および逆方向電流の制御が可能な前記同期整流用パワ-MOSFETのソ-ス・ドレイン間に流れる電流の方向の変化を監視し、逆方向電流が流れる期間同期整流用パワ-MOSFETのゲ-トに供給する駆動信号を停止する逆流防止手段を備えてなることを特徴とする同期整流用パワ-MOSFETの制御装置。
IPC (2):
H02M 3/28 ,  H02M 7/06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page