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J-GLOBAL ID：200903047169730530

グラファイト薄膜の形成方法

Inventor： 湯田坂 雅子 ,  菊地 理恵 ,  大木 芳正 ,  松井 丈雄 ,  加茂 宏明
Applicant, Patent owner： 新技術事業団 ,  菊地 理恵 ,  大木 芳正 ,  松井 丈雄
Agent (1)： 阿部 龍吉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064946
Publication number (International publication number)：1995002508
Application date： Mar. 24, 1993
Publication date： Jan. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低温度でグラファイト薄膜を形成する。【構成】 一方の芳香環のオルト位に置換基を有するo-メチルアリールケトン等の下記の芳香族ケトン類を原料として、化学気相成長によってコバルト、ニッケル、パラジウム、白金から選ばれる基板上にグラファイト薄膜を形成する。【化1】【効果】 600°C程度の低温度での単結晶グラファイトの形成が可能である。

Claim (excerpt)：

有機物を原料とする化学気相成長によるグラファイト薄膜の形成方法において、有機物として一方の芳香環のオルト位に置換基を有する芳香族ケトンを原料とすることを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。

IPC (3)：

C01B 31/04 101 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/02