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J-GLOBAL ID：200903047194748690
セラミックス基板及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 正緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995179049
Publication number (International publication number)：1997025186
Application date： Jul. 14, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：
【要約】【目的】 表面に形成する金属化層やポリイミド層に欠けや膨れ等の欠陥が発生せず、特に微細配線の形成に適した窒化アルミニウム基板を提供する。【構成】 副成分として周期律表2A族、3A族元素の化合物0.1〜15重量%含有するAlN焼結体からなり、研磨加工を施した表面の非球形状空孔の深さに対する長さの比が5.0以上で且つ深さが10μm以下であるセラミックス基板。このセラミックス基板は、上記副成分を含有するAlN焼結体を1kg/cm2以上の圧力で1軸加圧しながら1300°C以上で熱処理した後、研磨加工面を前記加圧軸とほぼ直角にして表面研磨加工して製造する。
Claim (excerpt)：
周期律表の2A族、3A族元素の化合物の少なくとも1種を当該元素換算で0.1〜15重量%含有し、非球形状の空孔を含む窒化アルミニウム基板であって、研磨加工を施した表面に現れている前記空孔の深さに対する長さの比が5.0以上で且つ深さが10μm以下であることを特徴とするセラミックス基板。
IPC (4)：
C04B 41/91
, C04B 35/581
, H01L 23/15
, H05K 1/03 610
C04B 41/91 D
, H05K 1/03 610 E
, C04B 35/58 104 B
, C04B 35/58 104 F
, C04B 35/58 104 Q
, H01L 23/14 C
