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J-GLOBAL ID：200903047204890007

熱電変換モジュールの製造方法

Inventor： 余田 浩好 ,  橋本 登 ,  上田 卓実 ,  山崎 圭一
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995299592
Publication number (International publication number)：1997148635
Application date： Nov. 17, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】 熱電変換素子の強度が優れ、且つ、熱電変換性能に優れた熱電変換モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】 次の工程順で製造される。銅板1上に、p型およびn型の熱電変換材料粉末で仮成形し、焼成することによりp型およびn型の複数の熱電変換素子2を銅板1の表面に形成する工程。上記銅板1の裏面をアルミニウム基板4に接合する工程。上記銅板1を電極の形状に切断し、形成した熱電変換素子2の間を分断する工程。各電極形状に切断した銅板1の表面に半田層10を形成する工程。p型の基板7とn型の基板8間にセラミックのピラー20を形成する工程。上記p型の基板7とn型の基板8を貼り合わせて、片方の基板の熱電変換素子2と、他方の基板の半田層10を重ね、加熱し、上記p型の基板7とn型の基板8を半田接合する工程。

Claim (excerpt)：

p型およびn型の熱電変換素子群を金属電極を介し交互に電気的直列に接続した熱電変換モジュールの製造方法であって、次の工程順で製造することを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。上記工程は、(イ)銅板上に、p型およびn型の熱電変換材料粉末で仮成形し、焼成することによりp型およびn型の複数の熱電変換素子を銅板の表面に形成する工程、(ロ)上記銅板の裏面をアルミニウム基板に接合する工程、(ハ)上記銅板を電極の形状に切断し、形成した熱電変換素子の間を分断する工程、(ニ)各電極形状に切断した銅板の表面に半田層を形成する工程、(ホ)p型の熱電変換素子を有する基板とn型の熱電変換素子を有する基板間にセラミックのピラーを形成する工程、(ヘ)上記p型の基板とn型の基板を貼り合わせて、片方の基板の熱電変換素子と、他方の基板の半田層を重ね、加熱し、上記p型の基板とn型の基板を半田接合する工程からなる。

IPC (2)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/08

FI (2)：

H01L 35/32 A ,  H01L 35/08