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J-GLOBAL ID：200903047208120117
半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
金山 敏彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993038509
Publication number (International publication number)：1994252508
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 エッチング停止に用いる低屈折率層とクラッド層との界面の組成分布を改良し、より確実にエッチングを可能にする。【構成】 本発明の半導体レーザは、n-GaAs基板1のp上にn-GaAsバッファ層2、n-AlGaAs低屈折率層3、n-AlGaAsクラッド層4、n-AlGaAs低屈折率層5、n-AlGaAsクラッド層6、ノンドープAlGaAs光ガイド層7、ノンドープAlGaAs量子井戸層8、ノンドープAlGaAs光ガイド層9,p-AlGaAsクラッド層10、p-AlX Ga1-X As低屈折率層11、p-AlGaAsクラッド層12、p-AlGaAs低屈折率層13、p-GaAsキャップ14の順に分子エピタキシ法により形成されいる。p-AlGaAsクラッド層12のAlの混晶比は、0.45から0.8に徐々に増やされている。
Claim (excerpt)：
少なくとも1層の屈折率の高い層より成る光導波領域を、少なくとも1層の屈折率の低い層を含む単層または多層より成るクラッド領域により両側から挟んだ光導波用多層構造を有し、光を閉じ込めるための少なくともひとつの該クラッド領域の中の前記光導波領域の近傍に少なくとも1層の屈折率のより低い層を挿入し、該低屈折率層とこれに接するクラッド層との間のエッチング速度の違いを利用してこれらの層に水平な方向の光導波路構造を作製できる構造を有する半導体レーザにおいて、該低屈折率層とこれに接するクラッド層との界面においてより組成の差が大きくなるように構成したことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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