半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：工業技術院電子技術総合研究所長 (外1名) , 田中昭雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999052396
Publication number (International publication number)：2000252461
Application date： Mar. 01, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【解決手段】少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、ゲート絶縁膜として酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を形成した後、600〜1600°Cの範囲で水素を含んだ雰囲気でアニールする。【効果】ゲート絶縁膜/炭化珪素界面に存在するシリコン或は炭素のタングリングボンドを水素で終端することにより、界面準位密度を十分に減らして、実際の使用に十分に耐える良好なゲート絶縁膜/炭化珪素界面を得ることができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも最上層に炭化珪素を有する半導体基板上に、ゲート絶縁膜として酸化膜及び/或は窒化膜の1層又は2層以上を形成した後、600〜1600°Cの範囲で水素を含んだ雰囲気でアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。【請求項2】水素圧力を0.1Pa〜1.01×105Paにした請求項1記載の方法。【請求項3】ガス雰囲気の圧力を常圧(1.01×105Pa)に固定して、水素濃度(水素流量/(水素流量+不活性ガス流量))が0.5%〜100%にした請求項1記載の方法。【請求項4】不活性ガスとして、窒素、アルゴン、ヘリウムを使用する請求項3記載の方法。【請求項5】アニール時間を10秒〜3時間にした請求項1或は請求項2或は請求項3或は請求項4記載の方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/324

FI (3)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/316 P , H01L 21/324 Z

F-Term (12)：

5F040DA00 , 5F040DC02 , 5F040EC10 , 5F040FC00 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BH01 , 5F058BH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

SiCの熱酸化膜の改善方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-008557 Applicant：新日本製鐵株式会社
炭化ケイ素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-165471 Applicant：富士電機株式会社
炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-189954 Applicant：富士電機株式会社

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