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J-GLOBAL ID:200903047233821960
加工方法、及び加工装置
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (7):
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002275894
Publication number (International publication number):2004106048
Application date: Sep. 20, 2002
Publication date: Apr. 08, 2004
Summary:
【課題】エネルギー線を用いた被加工膜の加工時に被加工膜の下地に与えるダメージを低減する。【解決手段】基板上に形成された加工膜の加工領域を選択的に加工する加工装置であって、前記基板を保持する保持部と、前記加工領域内に設定された各加工単位に対して、エネルギー線を照射する照射部と、前記各加工単位に観察光を照明し、前記加工単位からの反射光強度を検出する検出部と、検出された反射強度に応じて、各加工単位に照射するエネルギー線のエネルギー量を設定する設定部と、この設定部で設定されたエネルギー量に応じて、各加工単位に前記照射部から照射されるエネルギー線のエネルギー量を制御する制御部とを具備する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
加工単位毎にエネルギー線を照射して、基板上に形成された被加工膜の被加工領域を選択的に除去又は膜厚減少させる加工を行う加工方法であって、
前記被加工膜からの反射光の強度分布を求める工程と、
前記反射光強度の強度分布から、前記各加工単位に照射するエネルギー線のエネルギー量を決定する工程と、
前記各加工単位に対して、決定されたエネルギー量に基づいた前記エネルギー線を順次照射する工程とを含むことを特徴とする加工方法。
IPC (4):
B23K26/00
, H01L21/26
, H01L21/263
, H01L21/268
FI (6):
B23K26/00 N
, B23K26/00 C
, H01L21/263 E
, H01L21/263 Z
, H01L21/268 E
, H01L21/26 E
F-Term (11):
4E068AC01
, 4E068CA01
, 4E068CA02
, 4E068CA07
, 4E068CB09
, 4E068CC02
, 4E068CE01
, 4E068CH08
, 4E068CJ01
, 4E068CJ07
, 4E068DA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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加工装置及びレーザ加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-266084
Applicant:株式会社ニコン
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レーザ加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-270796
Applicant:株式会社ニコン
-
レーザ加工方法、レーザ加工装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-326865
Applicant:株式会社東芝
-
レーザ加工装置およびレーザ加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-051483
Applicant:日本電装株式会社
-
レーザ修正方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-250900
Applicant:日本電気株式会社
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カセットセルを有するレーザープロセッシングチェンバー
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-518033
Applicant:オラミルセミコンダクターエクイプメントリミテッド
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