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J-GLOBAL ID：200903047258727993

半導体装置の製造方法

Inventor： 古谷 晃
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998021062
Publication number (International publication number)：1999219952
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、強誘電体膜・高誘電体膜を劣化させる還元性雰囲気を用いることなく、さらに膜中に電気特性を劣化させる炭素、および配線等の腐食の原因となるハロゲンを含むことのないシリコン窒化膜形成工程を含む半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン窒化膜を形成するのに、SiF4またはSi2F6のいずれかとN2との混合気体を用いて、プラズマCVD法により温度400〜850°Cの基板上に成膜する。

Claim (excerpt)：

SiF4またはSi2F6のいずれかとN2との混合気体を用いて、プラズマCVD法により温度400〜850°Cの基板上にシリコン窒化膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。