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J-GLOBAL ID：200903047259709425

化学増幅型フォトレジスト用ポリマー及びフォトレジスト組成物

Inventor： 有田 靖
Applicant, Patent owner： 住友ベークライト株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002041297
Publication number (International publication number)：2003238629
Application date： Feb. 19, 2002
Publication date： Aug. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、ArFエキシマ光に適した化学増幅型フォトレジスト用ポリマーおよびフォトレジスト組成物を提供することである。【解決手段】 本発明は、一般式(I)で表される化学増幅型フォトレジスト用ポリマ-である。【化1】一般式(I)は、ユニット数a、bで表される2種類のモノマー成分、あるいはユニット数a、b、及びcで表される3種類のモノマー成分が共重合したポリマーを表し、前記2種類もしくは3種類のモノマー成分の結合状態は、ランダムであってもブロックであってもよい。一般式(I)中、R1、R2、R3は、水素原子またはメチル基のいずれかを表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。R4は、水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシアルキル基、環状エ-テル基及び環状エステル基のいずれかを表し、単独でも2種以上を混合してもよい。a/(a+b+c)は0.2〜0.8、b/(a+b+c)は0.05〜0.5、c/(a+b+c)は0〜0.5である。

Claim (excerpt)：

一般式(I)で表される化学増幅型フォトレジスト用ポリマ-。【化1】一般式(I)は、ユニット数a、bで表される2種類のモノマー成分、あるいはユニット数a、b、及びcで表される3種類のモノマー成分が共重合したポリマーを表し、前記2種類もしくは3種類のモノマー成分の結合状態は、ランダムであってもブロックであってもよい。一般式(I)中、R1、R2、R3は、水素原子またはメチル基のいずれかを表し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。R4は、水素原子、炭素数1〜12のアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシアルキル基、環状エ-テル基及び環状エステル基のいずれかを表し、単独でも2種以上を混合してもよい。a/(a+b+c)は0.2〜0.8、b/(a+b+c)は0.05〜0.5、c/(a+b+c)は0〜0.5である。

IPC (3)：

C08F220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (3)：

C08F220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (32)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4J100AL03R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA04R ,  4J100BA11R ,  4J100BC03R ,  4J100BC04P ,  4J100BC08R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA05 ,  4J100DA00 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38