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J-GLOBAL ID：200903047273855051
シリコン膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992019557
Publication number (International publication number)：1993190450
Application date： Jan. 07, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 基板上に結晶化したシリコン膜を低温下で形成することができるシリコン膜の形成方法を提供する。【構成】 真空容器2内において、蒸発源8によってシリコン10を基板6に蒸着させると同時に、プラズマ源14によって不活性ガスプラズマ28を基板6の近傍に発生させて当該不活性ガスプラズマ28中の不活性ガスイオンを基板6に衝突させる。しかもこのときに基板6に衝突する不活性ガスイオンのエネルギーを5eV〜63eVの範囲内にし、かつ基板6へのシリコン原子に対する不活性ガスイオンの輸送比を2〜60の範囲内にする。
Claim (excerpt)：
真空容器内において、基板にシリコンを蒸着させると同時に、不活性ガスプラズマを基板の近傍に発生させて当該プラズマ中の不活性ガスイオンを基板に衝突させ、しかもこのときに基板に衝突する不活性ガスイオンのエネルギーを5eV〜63eVの範囲内にし、かつ基板へのシリコン原子に対する不活性ガスイオンの輸送比を2〜60の範囲内にすることを特徴とするシリコン膜の形成方法。
IPC (6)：
H01L 21/20
, C23C 14/14
, C23C 14/24
, C23C 16/50
, H01L 21/203
, H01L 21/205
