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J-GLOBAL ID：200903047284845546

半導体回路およびその作製方法

Inventor： 小山 潤 ,  早川 昌彦 ,  山崎 舜平 ,  宮永 昭治 ,  大谷 久 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995262591
Publication number (International publication number)：1997045931
Application date： Sep. 13, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜トランジスタ(TFT)の回路において、低リーク電流のTFTと高速動作が可能なTFTを有する半導体回路およびそのような回路を作製するための方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜203に密着して触媒元素を有する物質を選択的に形成し、もしくはアモルファスシリコン膜中に触媒元素を選択的に導入し、このアモルファスシリコン膜203にレーザーもしくはそれと同等な強光を照射することによって結晶化させる。そして、触媒元素の少ない結晶シリコン領域206aをアクティブマトリクス回路の画素回路に使用されるTFTに用いて、触媒元素の多い結晶シリコン領域206aを周辺駆動回路に使用されるTFTに用いる。また、画素回路に使用されるTFTはLDD構造とする。

Claim (excerpt)：

モノリシックアクティブマトリクス回路において、周辺回路の薄膜トランジスタの活性領域は、意図的に導入された触媒元素を含有し、マトリクス回路の薄膜トランジスタの活性領域中の前記触媒元素の濃度は、前記周辺駆動回路の薄膜トランジスタの活性領域中よりも低く、前記マトリクス回路の薄膜トランジスタは、ソース領域と、ドレイン領域とを構成する一対の高濃度不純物領域と、前記ソース領域と、ドレイン領域とチャネル形成領域との間に形成された一対の低濃度不純物領域とを有することを特徴とする半導体回路。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体回路の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079004   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-132973   Applicant：シャープ株式会社, 株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜状半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-275412   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブマトリクス基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-343013   Applicant：セイコーエプソン株式会社