磁気抵抗素子とその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002185023
Publication number (International publication number)：2003086865
Application date： Jun. 25, 2002
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】従来のSi半導体とモノリシック化するために熱処理しても、信頼性および安定性の低下を抑制できる磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 330°C以上で熱処理する工程を含む方法により製造され、かつ非磁性層の中心線から、一対の強磁性層と非磁性層との間の界面までの最長距離が10nm以下である磁気抵抗素子とする。この素子は、基板上に下地膜を形成し、この下地膜を400°C以上で熱処理し、この下地膜の表面にイオンビームを照射して表面粗さを低減し、強磁性層および磁性層を形成して得ることができる。非磁性層との界面から2nmの範囲の強磁性層に、M1(Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、AgおよびAuから選ばれる少なくとも1種)を添加しても、上記最長距離は相対的に低下する。

Claim (excerpt)：

基板と前記基板上に形成された多層膜を含み、前記多層膜が一対の強磁性層と前記一対の強磁性層の間に挟持された非磁性層とを含み、前記一対の強磁性層における磁化方向がなす相対角度により抵抗値が異なる磁気抵抗素子であって、前記基板および前記多層膜を330°C以上で熱処理する工程を含む方法により製造され、前記非磁性層を厚さ方向に等分に分割するように定めた中心線から、前記一対の強磁性層と前記非磁性層との間の界面までの最長距離が20nm以下である磁気抵抗素子。ただし、前記最長距離は、長さを50nmとする10本の中心線ごとについて定めた上記界面までの最長距離から、最大値および最小値を除いて8個の最長距離を定め、さらに上記8個の最長距離の平均値をとって定める。

IPC (7)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 41/14 , H01L 43/10 , H01L 43/12

FI (9)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 D , H01L 43/08 M , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01F 41/14 , H01L 43/10 , H01L 43/12

F-Term (5)：

5D034BA03 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

磁気抵抗効果多層膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-172590 Applicant：アルプス電気株式会社
磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-264464 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-254474 Applicant：日本電気株式会社

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