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J-GLOBAL ID：200903047316996894

窒素含有炭素膜の製造方法

Inventor： 松井 丈雄 ,  湯田坂 雅子 ,  菊地 理恵 ,  大木 芳正 ,  吉村 進
Applicant, Patent owner： 新技術事業団 ,  松井 丈雄 ,  菊地 理恵 ,  大木 芳正 ,  吉村 進
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993238573
Publication number (International publication number)：1995090588
Application date： Sep. 24, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【構成】 含窒素環状有機化合物を化学気相蒸着(CVD)し、窒素含有グラファイト状炭素薄膜を作成する。【効果】 簡便な手段によって、機能材料として注目される窒素含有グラファイト状炭素薄膜が提供される。

Claim (excerpt)：

含窒素環状有機化合物を原料として化学気相蒸着によりグラファイト状窒素含有炭素膜を製造することを特徴とする窒素含有炭素膜の製造方法。