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J-GLOBAL ID：200903047334877126
半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松村 修治 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991016296
Publication number (International publication number)：1994090056
Application date： Feb. 07, 1991
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、量子細線を活性層に用いた半導体レーザに関するもので、特に無効電流の低減をはかり、しきい値の低減等の特性改善した半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 量子細線110を構成するためのバリア層のうち、素子基板主面に平行方向に配置されたバリア層106のバンドギャップ及びそのキャリア濃度が垂直方向に配置されたバリア層102,104に比べ、バンドギャップは大きく、キャリア濃度は低くする。
Claim (excerpt)：
半導体基板の主面上に、この主面と平行な方向に形成された複数個の量子細線と、前記量子細線間に前記主面と平行方向に形成された前記量子細線に対する第1のバリア層と、前記量子細線を挟んで前記主面と垂直方向に形成された前記量子細線に対する第2のバリア層とを備え、前記第2のバリア層を介して前記量子細線に電流注入を行うとともに、前記第1のバリア層のバンドギャップが前記第2のバリア層のそれより小さくないことを特徴とする半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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