Pat

J-GLOBAL ID：200903047337106007

フォトマスクの製造方法およびフォトマスク

Inventor： 田中 稔彦 ,  長谷川 昇雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000328159
Publication number (International publication number)：2002131883
Application date： Oct. 27, 2000
Publication date： May. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 波長200nm以上の露光光を用いる場合でも充分な解像性を持つレジストマスクを得る。【解決手段】 パターン転写用の有機膜からなる遮光パターン2aを、波長200nm以上の露光光に対しても遮光性または減光性を示す吸光性有機膜3aと、主としてこれをパターニングするためのレジスト膜4aとの積層膜で構成した。

Claim (excerpt)：

以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法;(a)マスク基板上に露光光に対して減光性を有する第1有機膜を堆積する工程、(b)前記第1有機膜上に感光性を有する第2有機膜を堆積する工程、(c)前記第2有機膜に所望のパターンを露光する工程、(d)前記第2有機膜に対して現像処理を施すことにより第2有機膜をパターニングする工程、(e)前記第2有機膜のパターンをマスキング層として第1有機膜をパターニングすることにより減光パターンを形成する工程。

IPC (5)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 L ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 P

F-Term (6)：

2H095BB03 ,  2H095BB08 ,  2H095BB14 ,  2H097CA13 ,  2H097CA17 ,  2H097LA10