Pat

J-GLOBAL ID：200903047348265867

SiC半導体装置とその製造方法

Inventor： 杉本 博司 ,  大塚 健一 ,  今泉 昌之 ,  高見 哲也 ,  木ノ内 伸一 ,  樽井 陽一郎 ,  谷村 純二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997162922
Publication number (International publication number)：1999016840
Application date： Jun. 19, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 十分な不純物濃度と厚みを有し、欠陥等の損傷の少ない不純物領域を有するSiC半導体基板を提供する。【解決手段】 イオン注入法や拡散法に代えて、選択成長法を用いてSiC半導体基板中に不純物領域を形成する。

Claim (excerpt)：

SiC基板と、該SiC基板上に形成された第1のSiC層とを少なくとも備えたSiC半導体装置において、上記第1のSiC層の一部に選択成長により第2のSiC領域を形成したことを特徴とするSiC半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 301 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-279073   Applicant：ローム株式会社