Pat
J-GLOBAL ID：200903047352625843
局所微量ガス添加ドライエッチング装置
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992065745
Publication number (International publication number)：1993267231
Application date： Mar. 24, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】エッチングにおいて微量ガス添加の制御性を上げ、垂直,高選択エッチングを行なう。同時に、汚染などのガス添加の悪影響をなくす。【構成】エッチングガスの導入口2とは別に、添加ガス導入口3をウエハ10から平均自由行程の1/2以内の位置に設け、処理室の内のガス滞在時間を100msec以下にした装置、およびこの装置を用いて、1〜10mTorrのガス圧で、エッチングガスを500sccm以上、添加ガスをエッチングガスの1/20以下もしくは10sccmに添加して、エッチングする。【効果】側壁保護膜やエッチングラジカルの吸着量が数原子層レベルで制御可能となり、垂直性エッチングが行なえる。
Claim (excerpt)：
真空処理室,前記真空処理室内に処理ガスを導入する機構,前記処理ガスの流量を調節する機構,前記処理ガスを前記真空処理室外に排気する機構,排気コンダクタンスを可変にする手段,処理される試料を保持する機構、および高周波放電またはマイクロ波放電でガスプラズマを発生させる機構を有し、前記ガスプラズマにより前記試料を処理するエッチング装置において、実効排気速度が1300l/sec 以上になるような排気ポンプを用い、主ガスを供給するためのガス導入口を有し、前記ガス導入口から離れた場所に、基板に主ガスの1/20以下の微量の添加ガスを供給することのできるガス導入口を有することを特徴とする局所微量ガス添加ドライエッチング装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
Show all
Return to Previous Page
