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J-GLOBAL ID：200903047355131477

シリコン膜の形成方法

Inventor： 大内田 敬
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997233617
Publication number (International publication number)：1999079727
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高次シランを塗布することにより液相からシリコン膜を成長する方法においては、気相からの成長方法とより高速に成膜が可能だが、高次シランを結晶化させるには600°C以上の高温が必要であり、600°C以上の温度では軟化あるいは溶融するガラスや高分子フィルム等の安価な材料を、基板として用いることができなかった。【解決手段】 一般式SinH2n+2(但し、nは4≦n≦7の整数)で表される液体高次シランとシリコン微粒子との混合液を基板上に予め塗布した後、液体高次シランを熱分解することでシリコン膜を形成する。これによって、取り扱いが容易な液体高次シランを用い、シリコン微粒子を結晶核として用いることにより、各種デバイスとして使用できる品質を維持しつつ、従来より低温かつ短時間で結晶シリコン膜を形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板上にシリコン微粒子を供給した後、液体高次シランを該基板上に塗布し、該基板上に塗布された該高次シランを分解することによりシリコン膜を形成すること特徴とするシリコン膜の形成方法。