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J-GLOBAL ID：200903047372745020

酸化物の処理方法、アモルファス酸化膜の形成方法およびアモルファス酸化タンタル膜

Inventor： 文 範基
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997264485
Publication number (International publication number)：1998229080
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 酸化物の絶縁性を大幅に向上させることができ、しかも大量生産に適し、処理中にクロスコンタミネーションやスパッタリング効果による表面荒れや組成ずれが生じない酸化物の処理方法を提供する。また、高誘電性および高絶縁性を有し、膜質も均一なアモルファス酸化膜を形成することができるアモルファス酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】 減圧CVD法などにより500°C以下の温度でアモルファスの酸化膜、例えばTa2 O5 膜を成膜した後、大気圧下でオゾンを含む雰囲気中において300〜500°C、好ましくは350〜450°Cの温度で熱処理を行う。熱処理の雰囲気中のオゾン濃度は、酸素に対するオゾンの体積比で5〜20%とする。熱処理時間は5〜60分とする。

Claim (excerpt)：

オゾンを含む雰囲気中において300〜500°Cの温度で熱処理を行うようにしたことを特徴とする酸化物の処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 21/316 P ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651