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J-GLOBAL ID：200903047375009538

露光方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 松坂 尚 ,  加藤 誠 ,  佐藤 一彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996260937
Publication number (International publication number)：1998106928
Application date： Oct. 01, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 試料ステージ基準面への吸着が不十分な状態で搭載されているウエハに反りや凹凸が発生しても、高精度な露光を可能とする。【解決手段】 電子ビーム露光装置の真空に保たれた試料室内に設置されている試料ステージ2上に固定されているウエハ1の変形を計測し、この変形を適当な解析関数で近似し露光すべきパターンの露光位置を算出し、その露光位置をさらに試料ステージ2上に想定した基準平面に投影して目標露光位置との差を求め、これを露光位置データに加算して露光位置を補正する操作を有するものであり、変形されているウエハ1に高精度な露光を行うことができる。

Claim (excerpt)：

試料ステージ上に固定されているウエハの変形を計測し、この変形を適当な解析関数で近似して露光すべきパターンの露光位置を算出し、前記露光位置をさらに前記試料ステージ上に想定した基準平面に投影して目標露光位置との差を求め、これを露光位置データに加算して露光位置を補正することを特徴とする露光方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/147 ,  H01J 37/305

FI (5)：

H01L 21/30 541 V ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/147 C ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/30 551