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J-GLOBAL ID：200903047390388278

多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージ

Inventor： 四方 邦英
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995102702
Publication number (International publication number)：1996051283
Application date： Apr. 26, 1995
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体素子と近似の熱膨張係数を有し、且つコンデンサ部を具備し、大型の半導体素子を実装できる多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージを提供する。【構成】ムライトを主成分とするセラミックスからなる絶縁層2の表面あるいは絶縁層2間にメタライズ配線層7が配設されたセラミック絶縁基板の内部または表面に、ムライトと、W、Mo、Re及びZrO2 から選ばれる少なくとも1種の高誘電率付与剤を含有する高誘電体層3を一対の電極4、5により挟持してなるコンデンサ部6を積層配設した多層配線基板および半導体素子収納用パッケージを得る。

Claim (excerpt)：

ムライトを主成分とするセラミックスからなる絶縁層の表面あるいは絶縁層間にメタライズ配線層が配設されたセラミック絶縁基板の内部または表面に、ムライトと、W、Mo、Re及びZrO2 から選ばれる少なくとも1種の高誘電率付与剤を含有する高誘電体層を一対の電極により挟持してなるコンデンサ部を積層配設したことを特徴とする多層配線基板。

IPC (3)：

H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14

FI (2)：

H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 Z