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J-GLOBAL ID：200903047410512388
半導体集積回路装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994277450
Publication number (International publication number)：1996139320
Application date： Nov. 11, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体集積回路装置のゲート電極の異常酸化を防止し、安定した特性を得る。【構成】 nウェル層1aおよびpウェル層1b上にパッド酸化膜2を形成し、パッド酸化膜2上にp型ポリシリコン層3aおよびn型ポリシリコン層3bを形成し、p型ポリシリコン層3a、n型ポリシリコン層3bおよびパッド酸化膜2に溝8を形成し、溝8の側面にポリシリコンのサイドウォール9を形成し、p型ポリシリコン層3aおよびn型ポリシリコン層3bからの不純物の熱拡散によって、サイドウォール9直下のnウェル層1aおよびpウェル層1bにp型およびn型のソース/ドレイン領域10,11を形成する工程と、溝8の内面にゲート酸化膜12を形成し、溝8内にゲート電極13を埋め込む工程とを含む。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板上に形成されたシリコン層と、前記シリコン層に形成された溝と、前記溝の側面に形成されたサイドウォールと、前記サイドウォール直下の前記半導体基板に形成された第2導電型のソース/ドレイン領域と、前記サイドウォールを含む前記溝の内面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記溝内に形成されたゲート電極とを具備したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (6)：
H01L 29/78
, H01L 21/768
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/336
, H01L 29/786
H01L 29/78 301 X
, H01L 21/90 D
, H01L 27/08 321 E
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 616 L
Cited by examiner (9)
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