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J-GLOBAL ID：200903047418109744
レーザーアニール装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992350548
Publication number (International publication number)：1993251342
Application date： May. 28, 1991
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【構成】 非晶質半導体膜をレーザー光によって結晶化するための装置であって、レーザーを照射するチャンバー以外に、少なくとも一つの真空処理チャンバーを有し、処理されるべき試料は、前記レーザー照射チャンバーと真空処理チャンバーの間を外気にさらされることなく移動できる構造を有するレーザーアニール装置
Claim (excerpt)：
レーザー光を照射して非晶質半導体を結晶化させる装置であって、レーザーを照射するチャンバー以外に少なくとも1つの真空処理チャンバーが設けられ、処理されるべき試料は、該真空処理チャンバーとレーザー照射チャンバーとの間を外気に触れることなく移動できることを特徴とするレーザーアニール装置。
IPC (5)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/324
, H01L 21/336
, H01L 29/784
Cited by examiner (11)
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