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J-GLOBAL ID：200903047435867415

半導体装置

Inventor： 中 島 昭 ,  小 松 通 郎 ,  申 大 ▲てい▼ ,  原 田 秀 樹
Applicant, Patent owner： 触媒化成工業株式会社 ,  富士通株式会社
Agent (1)： 鈴木 俊一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993211699
Publication number (International publication number)：1995066188
Application date： Aug. 26, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 比誘電率およびエッチレートが小さく、しかも膜形成時の収縮率が小さく、このためヒビ割れがなく、絶縁性、機械的強度、耐薬品性等に優れたシリカ系絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【構成】 特定のアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル(A)と、この前記アルコキシシランまたはその部分加水分解物(B)との反応物を含み、イオン濃度が1.0ミリモル/リットル以下であるシリカ系絶縁膜形成用塗布液から形成されたシリカ系絶縁膜を有する半導体装置。

Claim (excerpt)：

一般式Rn Si(OR’)4-n (式中、R、R’は炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表わし、nは0〜3の整数である。)で示されるアルコキシシランを加水分解重縮合して得られるシリカゾル(A)と、前記アルコキシシランまたはその部分加水分解物(B)との反応物を含むシリカ系絶縁膜形成用塗布液であって、該塗布液中のイオン濃度が1.0ミリモル/リットル以下である絶縁膜形成用塗布液から形成されたシリカ系絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  C09D183/00 PMM ,  H01L 21/768