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J-GLOBAL ID：200903047436086131
試料処理方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997051455
Publication number (International publication number)：1997237821
Application date： Feb. 27, 1989
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】【課題】試料の種類によらずエッチング処理後の試料の腐食を十分に防止できる試料の処理方法及び装置を提供する。【解決手段】試料をプラズマエッチング処理する工程と、該試料を湿式処理する湿式処理工程と、該湿式処理済み試料を乾燥処理する乾燥処理工程と、該乾燥処理済み試料のレジストマスク及び残留腐食生成物を除去する工程とを有する試料の処理方法。 試料は、例えば、プラズマや腐食ガスや腐食溶液を利用して処理手段でエッチング処理される。エッチング処理された試料は、湿式処理手段で湿式処理され、さらに、乾燥処理手段で乾燥処理される。その後、レジストマスク及び残留腐食生成物が除去きれる。これにより、エッチング処理によって生じた腐食性物は、エッチング処理済み試料から充分に除去される。このため、試料の種類によらず、試料を大気中に取り出してもその腐食を十分に防止できる。
Claim (excerpt)：
試料をプラズマエッチング処理する工程と、該エッチング後の試料を湿式処理する湿式処理工程と、該湿式処理済み試料を乾燥処理する乾燥処理工程と、該乾燥処理済み試料のレジストマスク及び残留腐食生成物を除去する工程とを有することを特徴とする試料処理方法。
IPC (6)：
H01L 21/68
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 351
H01L 21/68 A
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/304 351 Z
, H01L 21/30 572 A
, H01L 21/302 N
Cited by examiner (7)
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