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J-GLOBAL ID：200903047461049860

整流素子

Inventor： 加藤 久人 ,  川上 春雄 ,  佐藤 まり子 ,  山城 啓輔
Applicant, Patent owner： 富士電機ホールディングス株式会社
Agent (1)： 松井 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004212080
Publication number (International publication number)：2006032794
Application date： Jul. 20, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】 本発明は、簡単な構造で整流特性を得ることができ、かつ、逆バイアス時のリーク電流の低い整流素子を提供する。 【解決手段】 基板上に第1電極層、有機半導体材料層、拡散抑制層、第2電極層の順に薄膜として形成される整流素子であって、有機半導体材料層と第2電極層との間に電気抵抗率が10MΩcm以上の拡散抑制層を設ける。有機半導体材料層はフラーレン類であることが好ましく、拡散抑制層はフッ化リチウムであることが好ましい。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に第1電極層、有機半導体材料層、第2電極層の順に薄膜として配置してなる整流素子において、 前記有機半導体材料層と前記第2電極層との間に電気抵抗率が10MΩcm以上の拡散抑制層を設けたことを特徴とする整流素子。

IPC (3)：

H01L 51/05 ,  H01L 29/06 ,  H01L 49/02

FI (3)：

H01L29/28 ,  H01L29/06 601N ,  H01L49/02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 有機半導体ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-087132   Applicant：パイオニア株式会社
• 有機半導体ダイオード及び有機エレクトロルミネセンス素子表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-087133   Applicant：パイオニア株式会社
• 有機半導体ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-087131   Applicant：パイオニア株式会社