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J-GLOBAL ID：200903047463695140
電力用半導体素子の保護方式
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255756
Publication number (International publication number)：1993068331
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ヒートシンク熱時定数より短い断続負荷運転の場合でも電力用半導体素子の保護が十分に行えるようにする。【構成】 推定したトランジスタのジャンクション温度が第一の設定温度を超えると、コンパレータ19が動作して電流制限が行われ、第一の設定温度より高い第二の設定温度を超えると、コンパレータ20が動作してインバータ電流を遮断する。
Claim (excerpt)：
電力用半導体素子を使用したインバータ回路と前記電力用半導体素子を冷却するヒートシンクを備えたインバータ装置において、前記ヒートシンク上にサーミスタを設置し、前記サーミスタの抵抗値変化により前記ヒートシンク温度を検出するとともに、前記電力用半導体素子のドライブ信号と出力電流から半導体素子電流を計算し、前記電力用半導体素子の熱抵抗に基づいて前記電力用半導体素子のヒートシンクとジャンクション間の温度上昇を推定し、前記電力用半導体素子のジャンクション温度が第一の設定温度を超えると前記インバータ回路の電流制限動作を行い、前記第一の設定温度より高い第二の設定温度を超えるとインバータ電流を遮断することを特徴とする電力用半導体素子の保護方式。
IPC (6)：
H02H 7/122
, H02H 5/04
, H02H 6/00
, H02H 7/12
, H02M 1/00
, H02M 7/48
