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J-GLOBAL ID：200903047467168659

薄膜導線における高電流密度より局所的に発生する磁界を利用した記録ヘッド

Inventor：
クリントン、トマス、ダブリュ

About クリントン、トマス、ダブリュ

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セイグラー、マイケル、エイ.

About セイグラー、マイケル、エイ.

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ロッテメイヤー、ロバート、イー.

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Applicant, Patent owner：
シーゲイト テクノロジー エルエルシー

About シーゲイト テクノロジー エルエルシー


Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  岩本 行夫 ,  吉田 裕
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003525839
Publication number (International publication number)：2005502150
Application date： Feb. 27, 2002
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
磁気記憶媒体58に情報ビットを記録する方法であって、第1の導体50を磁気記録媒体58に近接して配置し、導体は幅および長さを有し、第1の導体と磁気記録媒体の距離が該幅および長さ以下であること、および1テスラより大きく、ビット寸法に対する交差トラック方向および下方トラック方向の磁界の勾配が100Oe/nmより大きい磁界を磁気媒体に生成するのに十分な大きさの第1の電流を導体に流すことを含む方法。該方法に従ってデータを記録する磁気記録ヘッド48およびディスク・ドライブ10も含まれる。
Claim (excerpt)：
磁気記憶媒体に情報ビットを記録する方法であって、 第1の導体(50)を磁気記録媒体(58)に近接して配置し、導体は幅および長さを有し、第1の導体と磁気記録媒体の距離が該幅および長さ以下であること、および 1テスラより大きく、ビット寸法に対する交差トラック方向および下方トラック方向の磁界の勾配が100Oe/nmより大きい磁界を磁気媒体に生成するのに十分な大きさの第1の電流を導体に流すことを含む方法。
IPC (2)：
G11B5/02 ,  G11B5/31
FI (3)：
G11B5/02 A ,  G11B5/02 B ,  G11B5/31 F
F-Term (5)：
5D033BA33 ,  5D091AA08 ,  5D091CC02 ,  5D091CC12 ,  5D091HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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