Pat

J-GLOBAL ID：200903047471103308

薄膜トランジスタの製造方法及びその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置

Inventor： 古田 守 ,  川村 哲也 ,  ▲〓▼岡 達男 ,  佐野 浩 ,  宮田 豊
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992034660
Publication number (International publication number)：1993235355
Application date： Feb. 21, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ゲート電極が活性層の下側(基板側)に位置する薄膜トランジスタの閾電圧を任意に制御可能にする。【構成】 ゲート電極が薄膜トランジスタの活性層の下側(基板側)に位置する薄膜トランジスタにおいて(図1)(b)活性層の上部に絶縁膜を形成した後、不純物イオンを活性層に導入する(図1)(c)ことにより不純物の導入深さおよび導入量を任意に制御し薄膜トランジスタの閾電圧を制御する。

Claim (excerpt)：

ゲート電極が半導体活性層の下側(基板側)に形成される構造を特長とする薄膜トランジスタにおいて、半導体活性層上に絶縁膜を形成する工程と前記絶縁膜上より不純物をイオン化して半導体薄膜中に導入することにより薄膜トランジスタの閾電圧を変化させる工程を有することを特長とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265

FI (3)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 311 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-276768
  
• 特開平1-235383
  
• 特開昭64-053462
  
• 特開昭63-194326