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J-GLOBAL ID：200903047471899811

半導体レーザ

Inventor： 八重樫 浩樹 ,  堀川 英明 ,  後藤 修 ,  山内 義則
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995175301
Publication number (International publication number)：1997027651
Application date： Jul. 12, 1995
Publication date： Jan. 28, 1997
Summary：

【要約】【目的】 逆バイアスの電気的ノイズに対して破損し難い、信頼性の高い半導体レーザを提供する。【構成】 レーザダイオード部分60に逆並列ダイオード部分61を含む。すなわち、n-GaAs基板10、n-InGaPクラッド層12、活性層14、p-InGaPクラッド層16、p-GaAsコンタクト層18、p-InGaP電流ブロック層20、n-InGaP電流ブロック層22、レーザダイオードp側オーミック電極24、レーザダイオードn側オーミック電極28であり、これらで埋め込みヘテロ構造のレーザダイオード部分60を構成する。並列ダイオードp-InGaP層40は、並列ダイオードn-InGaP層42、並列ダイオードp側オーミック電極44、並列ダイオードn側オーミック電極46であり、これらで並列ダイオード部分61を構成する。

Claim (excerpt)：

同一基板上にレーザダイオード部分と、電気的分離溝を隔てて前記レーザダイオード部分と逆並列接続されるダイオード部分とを設けるようにしたことを特徴とする半導体レーザ。