シリコン絶縁膜の熱処理方法並びに半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998095831
Publication number (International publication number)：1999297689
Application date： Apr. 08, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】既に形成されたシリコン絶縁膜の有する特性を変化させることなく、有機物の付着が無い状態を得ることを可能とするシリコン絶縁膜の熱処理方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(イ)シリコン絶縁膜12の膜厚が増加しない温度の酸化性雰囲気中でシリコン絶縁膜12に熱処理を施す工程と、(ロ)熱処理が施されたシリコン絶縁膜12上に薄層13を成膜する工程を含む。

Claim (excerpt)：

シリコン絶縁膜の膜厚が増加しない温度の酸化性雰囲気中で該シリコン絶縁膜に熱処理を施すことを特徴とするシリコン絶縁膜の熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 P , H01L 29/78 301 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-012107 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-183339 Applicant：株式会社東芝
素子分離膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-105442 Applicant：ソニー株式会社

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