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J-GLOBAL ID：200903047490855957

極紫外線リソグラフィー用基板の製造方法

Inventor： ケネス イー アーディナ ,  ニッキ ジェイ ルッソ ,  マイケル エイチ ウォシルースキー
Applicant, Patent owner： コーニング インコーポレイテッド
Agent (2)： 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009011710
Publication number (International publication number)：2009091246
Application date： Jan. 22, 2009
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：

【課題】 熱膨張係数のバラツキを小さくする。【解決手段】 シリカ前駆体(28)をバーナ(16)に供給し、シリカ前駆体(28)をバーナ(16)の火炎(36)に通過させてシリカ粒子(38)を形成し、シリカ粒子(38)をバーナから下方に向けてプレーナ面(14)上に堆積させて平坦な多孔質EUVリソグラフィー用大寸法プリフォーム(40)を形成し、これを脱水し、平坦な多孔質EUVリソグラフィー用大寸法プリフォーム(40)を平坦な緻密なEUVリソグラフィー用大寸法均質ガラス体に固結させる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

EUVリソグラフィー用ガラス基板を製造する方法であって、 シリカ前駆体を少なくとも1つのバーナに供給し、該シリカ前駆体を該バーナの火炎に通過させてシリカ粒子を形成し、 前記シリカ粒子を前記少なくとも1つのバーナから下方に向けてプレーナ面上に堆積させて平坦な多孔質EUVリソグラフィー用ガラス基板プリフォームを形成し、 前記多孔質プリフォームを脱水し、 前記多孔質プリフォームを平坦で緻密な均質EUVリソグラフィー用ガラス基板に固結させる、 各工程を有してなり、 前記シリカ粒子が堆積した前記プレーナ面の温度を600°Cから900°Cの範囲に維持することを特徴とする方法。

IPC (5)：

C03B 8/04 ,  C03B 20/00 ,  H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 1/14

FI (7)：

C03B8/04 Z ,  C03B8/04 M ,  C03B20/00 E ,  C03B20/00 G ,  H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A ,  G03F1/14 B

F-Term (7)：

2H095BA10 ,  2H095BB37 ,  2H095BC27 ,  4G014AH11 ,  5F046GD06 ,  5F046GD10 ,  5F046GD20