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J-GLOBAL ID：200903047499319217
多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991211058
Publication number (International publication number)：1993055749
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法に関し、基板上に遮光パターンが形成された1:1のマスクを使用し、しかもアブレーションされたガスを容易に外部に排除しうるようにして良好な穴形状と精度とを有するビア穴を簡単なプロセスで形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 基板21上に絶縁膜22と配線層23とが交互に積層され、絶縁膜22に形成されたビア穴24を介して配線層23が相互に接続されている多層配線回路基板の製造方法において、透明基板1上に誘電体ミラー膜5が選択的に形成されている誘電体ミラーマスク7を基板21上に形成された絶縁膜22上に少なくとも0.1mm離隔して固定し、これに平行なレーザ光を照射して絶縁膜22をアブレーション加工する工程を、誘電体ミラーマスク7と基板21とを同時に移動して絶縁膜22の全領域にわたって実施して絶縁膜22にビア穴24を形成するように構成する。
Claim (excerpt)：
基板(21)上に絶縁膜(22)と配線層(23)とが交互に積層され、前記絶縁膜(22)に形成されたビア穴(24)を介して前記配線層(23)が相互に接続されてなる多層配線回路基板の製造方法において、透明基板(1)上に誘電体多層膜(5)が選択的に形成されてなる誘電体ミラーマスク(7)を前記基板(21)上に形成された前記絶縁膜(22)上に少なくとも0.1mm離隔して固定し、平行なレーザ光を照射して前記絶縁膜(22)をアブレーション加工する工程を、前記誘電体ミラーマスク(7)と前記基板(21)とを同時に移動しながら前記絶縁膜(22)の全領域にわたって実施して、前記絶縁膜(22)にビア穴(24)を形成する工程を有することを特徴とする多層配線回路基板の製造方法。
IPC (2)：
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