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J-GLOBAL ID：200903047503668817

光学的なマイクロ波源

Inventor： シュテファン バウアー ,  オラフ ブロックス
Applicant, Patent owner： フラウンホーファー-ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ
Agent (5)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003550326
Publication number (International publication number)：2005512136
Application date： Nov. 29, 2002
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

0.5GHzからTHz領域までの周波数領域にある光学的なマイクロ波を形成するための簡単な調整可能なモノシリックに集積されたモジュールが提供される。本発明による光学的なマイクロ波源はマルチセクション半導体レーザとして構成されており、この半導体レーザのセクションは別個に電気的に制御可能に構成されている。光学的なマイクロ波源は、レーザ閾値を超えて動作する単一モードのDFBレーザ(1)と、少なくとも1つのモノリシックに集積されている(外部)キャビティとを有し、このキャビティは受動的な位相制御セクション(2)と能動的なセクション(3)とから構成されている。マルチセクション半導体レーザは2つのファセットによって境界付けられており、これらのファセットの内の少なくとも一方は0より大きい反射率を有する。受動的なセクション(2)及び能動的なセクション(3)はDFBセクション(1)と共通の導波体(WL)を介して接続されている。能動的なセクション(3)は増幅のための手段を有し、受動的なセクション(2)はマルチセクション半導体レーザにおいて戻ってくる波長の位相位置を変化させる手段を有する。

Claim (excerpt)：

マルチセクション半導体レーザとして構成されている光学的なマイクロ波源であって、 前記マイクロ波源のセクションは別個に電気的に制御可能であり、該セクションはレーザ閾値以上で動作する単一モードのDFBレーザ(1)と、受動的な位相制御セクション(2)及び能動的なセクショ(3)から構成されている少なくとも1つのモノリシックに集積された外部キャビティとを有する、光学的なマイクロ波源において、 -前記マルチセクション半導体レーザは2つのファセットによって境界付けられており、該ファセットの少なくとも一方は0より大きい反射率を有し、 -前記受動的なセクション(2)及び前記能動的なセクション(3)は前記DFBセクション(1)と共通の導波体(WL)を介して接続されており、 -前記能動的なセクション(3)は前記マルチセクション半導体レーザに戻ってくる波長を増幅する手段を有し、 -前記受動的なセクション(2)は前記マルチセクション半導体レーザに戻ってくる波長の位相位置を変える手段を有することを特徴とする、光学的なマイクロ波源。

IPC (4)：

G02F2/02 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/14

FI (4)：

G02F2/02 ,  H01S5/026 616 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/14

F-Term (14)：

2K002AB27 ,  2K002BA08 ,  2K002CA13 ,  2K002DA06 ,  2K002DA11 ,  2K002EA28 ,  2K002GA10 ,  5F173AB14 ,  5F173AB17 ,  5F173AB32 ,  5F173AB47 ,  5F173AD12 ,  5F173AD15 ,  5F173AR99