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J-GLOBAL ID：200903047512250531

半導体レーザ装置

Inventor： 伊地知 哲朗 ,  二ノ宮 隆夫
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993336562
Publication number (International publication number)：1995202310
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 0.9〜1.1μmの波長範囲で安定に基本横モード発振が得られる半導体レーザを提供する。【構成】 クラッド層の電流注入領域の両側にに活性層のバンドギャップエネルギーと同一か、それより低いバンドギャップエネルギーを有する圧縮歪が加えられたInGaAs井戸層とInGaP障壁層が交互に積層されて構成されている歪多重量子井戸吸収層を設ける。【効果】 歪多重量子井戸吸収層が、高次横モードに対して有効な吸収層として作用するため、基本横モード発振し易くなる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に少なくとも一対のクラッド層および上記一対のクラッド層に挟まれた活性層を有する半導体レーザ装置において、上記一対のクラッド層のいずれか一方、あるいは双方のクラッド層中の電流注入領域の両側に、上記活性層のバンドギャップエネルギーと同一か、それより低いバンドギャップエネルギーを有する圧縮歪が加えられたInGaAs井戸層とInGaP障壁層が交互に積層されて構成されている歪多重量子井戸吸収層を有することを特徴とする半導体レーザ装置。