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J-GLOBAL ID：200903047531312750

III族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： 上村 俊也 ,  平野 敦雄 ,  太田 光一 ,  長坂 尚久
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001101990
Publication number (International publication number)：2001345480
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【目的】 均一発光の得られる大型の発光素子を得る。【構成】 最外径が700μm以上の素子において、n電極から最も離れたp電極の点までの距離を500μm以内に収める。

Claim (excerpt)：

最外径が700μm以上の素子において、n電極から最も離れたp電極の点までの距離が500μm以内にある、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• LEDランプ並びにLEDチップ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-328744   Applicant：ユニスプレイ・エス・アー
• 発光ダイオードチップ、およびこれを用いた発光ダイオードチップアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-254812   Applicant：ローム株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-253901   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体発光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-034908   Applicant：株式会社東芝
• 発光デバイスのための電極構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-331422   Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-147773   Applicant：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-330959   Applicant：日亜化学工業株式会社