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J-GLOBAL ID：200903047550735433

プラズマCVD装置

Inventor： 吉田 哲久 ,  竹澤 浩義 ,  北川 雅俊 ,  石原 伸一郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996072695
Publication number (International publication number)：1997266201
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、累積堆積膜厚の増加に対して、得られる膜の膜質や膜厚分布の再現性が良好なプラズマCVD装置を提供することを目的とする。【解決手段】 真空排気装置に接続された容器内に内室を設け、前記内室にガス導入口を備えた高周波印加電極及び基板台を設けたプラズマCVD装置において、前記内室の高周波印加電極,及び基板台以外の内壁を絶縁体で覆う、内室のコーナー部を絶縁体で覆う、あるいは高周波印加電極のみを絶縁体で覆う。

Claim (excerpt)：

真空排気装置に接続された容器内に内室を設け、前記内室にガス導入口を備えた高周波印加電極及び基板台を設けたプラズマCVD装置において、前記内室の高周波印加電極,及び基板台以外の内壁を絶縁体或いは半絶縁体で覆うことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A