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J-GLOBAL ID：200903047551585788

巨大磁気抵抗効果素子

Inventor： 上田 武彦
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997083150
Publication number (International publication number)：1998284767
Application date： Apr. 01, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 金属非磁性層の両側に金属強磁性層を配し、更にその一方の側に反磁性層を備えたものを基本構成として有する磁気抵抗素子は低磁場でも動作するが、抵抗値変化が少ない、また高インピ-ダンスでの測定を実現するものはない。本願目的は、低磁場でも動作し、実用に十分な抵抗値変化を示し、高インピ-ダンス測定を可能にする磁気抵抗効果素子を実現する事である。【解決手段】 従来の基本構成の少なくとも一方の側に電子トラップを設けることにより上記目的を達成した。

Claim (excerpt)：

金属非磁性薄膜層の両側に強磁性薄膜層を有し、更にその一方の側のみに反強磁性薄膜層を有する薄膜積層体を基本構成体として支持体上に設けてなる磁気抵抗効果素子であって、基本構成体の少なくとも一方の側に誘電体からなる伝導電子トラップ層を有する事を特徴とする磁気抵抗効果素子

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 13/00

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 13/00 Z ,  G01R 33/06 R