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J-GLOBAL ID：200903047553074683

化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor： 三好 陽介
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 西村 征生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997114605
Publication number (International publication number)：1998308351
Application date： May. 02, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 製造装置とプロセスの複雑化を招くことなく、一段と耐久性に優れる化合物半導体装置を実現する。【解決手段】 開示される化合物半導体装置には素子能動層2が形成されたGaAs基板1とSiO2膜7との界面部分に、シリコン界面制御層としてのエピタキシャル成長シリコン層5と、酸化バッファ層としてのアモルハァスシリコン層6とが設けられている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に素子能動層を形成し、該素子能動層が形成された半導体基板上に高抵抗膜を成膜した化合物半導体装置において、前記素子能動層が形成された半導体基板と高抵抗膜との界面部分に、エピタキシャル成長シリコン層と、該シリコン層上に形成されたアモルハァスシリコン層とを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-227810   Applicant：日本鉱業株式会社
• 特開平3-240265