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J-GLOBAL ID：200903047558410185

薄膜製造方法および装置

Inventor： 執行 正一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995334020
Publication number (International publication number)：1997153484
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 CVD成膜中に下地膜からのアウトガス発生を抑制して均質なCVD成膜を行うCVD膜の製造方法を提供する。【解決手段】 下地膜が形成されたウエハ8表面にCVD成膜を行う前に、前記下地膜中の含有ガス成分を、例えば、高真空排気して、或いは加熱して、或いはプラズマ照射して除去する。

Claim (excerpt)：

下地膜が形成されたウエハ表面に薄膜を形成する前に、前記下地膜中の含有ガス成分を除去することを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/31 ,  B01J 3/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316

FI (6)：

H01L 21/31 B ,  B01J 3/00 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/302 N