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J-GLOBAL ID：200903047558461731

ビアホール形成法及びフィルム切断法

Inventor： ハバ ベルガセム ,  森重 幸雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994174413
Publication number (International publication number)：1995308791
Application date： Jul. 26, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 LSI等の高密度実装用配線基板に用いられる絶縁フィルムへのビアホール形成法及びフィルム切断法において、20μm 以下の微細なビアホール形成が可能で、従来のメカニカルなドリル法や切断法以上の高速なスループットが得られ、かつ工程が単純で、不良発生のおそれが極めて小さい、優れた加工法を提供する。【構成】 第1の本発明は、?@基板表面にレーザ光を吸収する薄い層を形成する工程と、?A基板上のビアホール形成を行う場所にレーザ光を照射する工程と、?Bレーザ光を照射した基板を超音波洗浄する工程からなる。第2の本発明は、?@絶縁フィルムの吸収波長域にあるレーザ光を、基板上のビアホール形成を行う場所に照射する工程と、?Aレーザ光を照射した基板を超音波洗浄する工程からなる。

Claim (excerpt)：

有機物質を含有する絶縁フィルムからなる基板へのビアホール形成法において、レーザ光をビアホール形成を行う基板の所要部に照射し、照射による基板の温度上昇を介して、基板のレーザ光照射部を変性、熱分解、熱分解に伴うガス発生のいずれかの反応を起こさせた後、超音波洗浄を行うことを特徴とするビアホール形成法。

IPC (6)：

B23K 26/00 330 ,  B23K 26/00 320 ,  B23K 26/16 ,  B23K 26/18 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭53-001860
  
• レーザアブレーション加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-006106   Applicant：富士通株式会社