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J-GLOBAL ID：200903047564110118
可飽和ブラッグ反射器構造とその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡部 正夫 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997111684
Publication number (International publication number)：1998065244
Application date： Apr. 30, 1997
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、半導体装置に関し、特に超短光パルスを生成するためにレーザをモードロッキングする際に使用する強度に依存する反射器を提供することを目的とする【解決手段】 本発明は、標準半導体1/4波長スタック反射器上に形成されたn/2波長歪解放層(nはゼロより大きい奇数)内に、一つまたはそれ以上の半導体量子井戸を含む非線形反射器により、低い光学的損失を達成することができ、簡単な方法で製造することができる。1/2波長レーザの成長は、非放射再結合源として効率的に動作するように、界面領域に十分な濃度で断層ができるように制御される。飽和が行われた後で、上記再結合源は、光学的パルスの次の往復がレーザ空胴に到着する前に、量子井戸のキャリヤを除去する。
Claim (excerpt)：
誘電材の層の1/4波長スタックと、nがゼロより大きい奇数であるn/2波長歪解放層と、誘電体ミラーが入射放射に対して非線形飽和レスポンスを示すように、該歪解放層に配置された量子井戸とを含む誘電体ミラー。
IPC (2)：
FI (2)：
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