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J-GLOBAL ID：200903047571054754

微小ティップの製造方法と微小電流または微小力検出用プローブの製造方法、及びその製造に用いる雌型基板、並びにその微小ティップとプローブ

Inventor： 島田 康弘 ,  池田 勉 ,  八木 隆行
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997067414
Publication number (International publication number)：1998253642
Application date： Mar. 05, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、微小ティップの作製に際して、微小ティップの高さを設定することが可能であり、また、高さの揃った微小ティップを作製することができ、とりわけ高さの揃った微小ティップを有するマルチプローブを構成することが可能な、微小ティップの製造方法と微小電流または微小力検出用プローブの製造方法、及びその製造に用いる雌型基板、並びにその微小ティップとプローブを提供することを目的としている。【解決手段】本発明の微小ティップの製造方法、及び微小ティップの製造方法と微小電流または微小力検出用プローブの製造方法は、一方の基板の剥離層上に形成された微小ティップを、他方の基板上に形成された接合層上へ転写するに際して、前記いずれか一方の基板に形成されたスペーサーを介して前記微小ティップを前記接合層上に転写することを特徴とするものであり、このような製造に用いる雌型基板、並びにその微小ティップとプローブを提供することを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

微小ティップの製造方法であって、一方の基板の剥離層上に形成された微小ティップを、他方の基板上に形成された接合層上へ転写するに際して、前記いずれか一方の基板に形成されたスペーサーを介して前記微小ティップを前記接合層上に転写することを特徴とする微小ティップの製造方法。

IPC (4)：

G01N 37/00 ,  G01B 21/30 ,  G02B 21/00 ,  G11B 9/00

FI (5)：

G01N 37/00 C ,  G01N 37/00 G ,  G01B 21/30 Z ,  G02B 21/00 ,  G11B 9/00