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J-GLOBAL ID：200903047572062491

レジスト材料

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 奥山 尚男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999351335
Publication number (International publication number)：2001166476
Application date： Dec. 10, 1999
Publication date： Jun. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 孤立残しパターンをポジあるいはネガレジストを用いて、広いフォーカスや露光のマージンを確保するために、レジストの溶解の傾きを繰り返しパターン用レジストより小さくすることができるとともに、従来の欠点であるPEB温度マージンの低下を生じないジスト材料を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で示される窒素含有化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料を提供する。【化1】(式中、R1、R2は水素原子あるいは同一または異種の炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基であって、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル、アミノ基などを含んでも良く、R3は同一または異種の炭素数1〜20のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基であり、R1とR2、R1とR3、R2とR3が互いに結合して環を形成しても良い。)
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示される窒素含有化合物の1種または2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は水素原子あるいは同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基であって、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル、アミノ基を含んでも良く、R3は同一又は異種の炭素数1〜20のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基であり、R1とR2、R1とR3、R2とR3が互いに結合して環を形成しても良い。)
IPC (5)：
G03F 7/038 601 ,  C08K 5/16 ,  C08L101/16 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/039 601
FI (5)：
G03F 7/038 601 ,  C08K 5/16 ,  G03F 7/027 514 ,  G03F 7/039 601 ,  C08L101/00
F-Term (32)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  4J002BC041 ,  4J002BC121 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BH021 ,  4J002BK001 ,  4J002EB107 ,  4J002EN106 ,  4J002ES017 ,  4J002ET006 ,  4J002EU026 ,  4J002EV086 ,  4J002EV217 ,  4J002EV227 ,  4J002EV297 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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