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J-GLOBAL ID：200903047593456732

ミリ波半導体装置

Inventor： 柿本 典子 ,  末松 英治
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998223848
Publication number (International publication number)：2000058691
Application date： Aug. 07, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 シールドのため導電性キャップで封止された内部空間において、良好な高周波特性を発揮させつつ、封止前後の高周波特性変化が少ないため、多品種化に伴う様々なパッケージに対して容易に応用でき、開発の期間もコストもあまり要しない電磁波的な封止構造を備えた小サイズ化なミリ波半導体装置を提供する。【解決手段】 配線基板10に実装されたミリ波デバイス30を封止する封止キャップ50は、その表面に形成された導体の電位がグランド電位となっているが、配線基板10と封止キャップ50の内面との間隔が、適用する周波数の波長の1/4未満となるように封止するすることによって、封止された空間での適用周波数における多数の導波管モードを抑圧できるようになり、その空間を通しての不要電磁波の伝搬を低減することができる。

Claim (excerpt)：

ミリ波デバイスと、前記ミリ波デバイスが搭載された配線基板と、前記ミリ波デバイスを封止する封止キャップとから構成されるミリ波半導体装置において、前記封止キャップは、その表面に形成された導体の電位がグランド電位となっており、かつ、適用する周波数帯に対して封止された空間内の導波管モードを抑圧するように封止したことを特徴とするミリ波半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/04 ,  H01L 27/00 301 ,  H01P 5/08

FI (4)：

H01L 23/04 G ,  H01L 23/04 F ,  H01L 27/00 301 H ,  H01P 5/08 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-276249
  
• 特開昭63-276249
  
• 特開昭63-276249
  
• 特開昭63-276249